← Назад к работе
Работы, на которые ссылается эта работа
Работ: 23
Работа: Effect of SiO<sub>2</sub> and Post-Annealed Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub> Buffer Layers on Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub> Thin Film Growth and Properties
Williamson-Hall analysis in estimation of lattice strain in nanometer-sized ZnO particles
VD Mote, Y. Purushotham, B. N. Dole
Статья2012Цитирований: 4ABIA review of Ga2O3 materials, processing, and devices
S. J. Pearton, Jiancheng Yang, Patrick H. Cary +4
Обзорная статья2018Цитирований: 4ABIRecent progress in Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>power devices
Masataka Higashiwaki, Kohei Sasaki, Hisashi Murakami +5
Статья2016Цитирований: 3ABI