Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseОткрытый API экосистемы
Статья

Transverse laser dressing effects on the subband density of states in a 20-nm-wide GaAs/Al0.3Ga0.7As quantum well wire

A. RaduDepartment of Physics, “Politehnica” University of Bucharest, 313 Splaiul Independentei, Bucharest RO-060042, Romania
2012en
ABI

Аннотация

Аннотация отсутствует.

Идентификаторы

Цитирования и источники

Цитирований: 5Использованных источников: 0