Работы, цитирующие эту работу

Работ: 2

Работа: First-principle calculations of electronic and positronic properties of AlGaAs2

1. Electronic structure of Ga1–x Al x As nanostructures grown on the GaAs surface by ion implantation

   S. B. Donaev, Б. Е. Умирзаков, Д. А. Ташмухамедова

   СтатьяIon-surface interactions and analysisTechnical Physics2015Цитирований: 13

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.095299

2. Electronic and Optical Properties of GaAlAs/GaAs Thin Films

   Б. Е. Умирзаков, S. B. Donaev, N. M. Mustafaeva

   СтатьяPhotocathodes and Microchannel PlatesTechnical Physics2019Цитирований: 8

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.232443