X-ray diffraction study of GaSb grown by molecular beam epitaxy on silicon substrates
Jean‐Baptiste RodriguezCNRS, IES, UMR 5214, F-34000 Montpellier, FranceK. MadiomananaCNRS, IES, UMR 5214, F-34000 Montpellier, FranceL. CeruttiCNRS, IES, UMR 5214, F-34000 Montpellier, FranceA. CastellanoCNRS, IES, UMR 5214, F-34000 Montpellier, FranceE. TourniéCNRS, IES, UMR 5214, F-34000 Montpellier, France
2016en
ABI
Аннотация
Аннотация отсутствует.
Идентификаторы
Цитирования и источники
Цитирований: 2Использованных источников: 0