Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 10

Работа: Influence of device geometry on electrical characteristics of a 10.7 nm SOI-FinFET

1. Short-channel effects in SOI MOSFETs

   S. Veeraraghavan, J.G. Fossum

   Статья1989Цитирований: 7

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.390677

2. Statistical variability and reliability in nanoscale FinFETs

   Xingsheng Wang, A. R. Brown, B. Cheng +1

   Статья2011Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.390676

3. Intrinsic parameter fluctuations in decananometer mosfets introduced by gate line edge roughness

   Asen Asenov, Savaş Kaya, A. R. Brown

   Статья2003Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.390678

4. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.502691

5. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.502692

6. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.502693

7. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.502694

8. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.502695

9. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.502696

10. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.502697