Investigation of electrical and dielectric properties of epitaxially grown Au/n-GaAs/p-Si/Al heterojunction
A. AsherySolid State Physics Department, Physics Research Division, National Research Centre, 33 El Bohouth St., Dokki, Giza, 12622, EgyptMohamed M. M. ElnashartyMicrowave Physics and Dielectrics Department, Physics Research Division, National Research Centre, 33 El Bohouth St., Dokki, Giza, 12622, EgyptTalaat A. HameedSolid State Physics Department, Physics Research Division, National Research Centre, 33 El Bohouth St., Dokki, Giza, 12622, Egypt
2020en
ABI
Аннотация
Аннотация отсутствует.
Идентификаторы
Цитирования и источники
Цитирований: 2Использованных источников: 0