← Назад к работе
Работы, цитирующие эту работу
Работ: 2
Работа: Post-Annealing Effects on Fixed Charge and Slow/Fast Interface States of TiN/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/p-Si Metal–Oxide–Semiconductor Capacitor
Продукты
Для разработчиков
AkademBaseОткрытый API экосистемыРабот: 2
Работа: Post-Annealing Effects on Fixed Charge and Slow/Fast Interface States of TiN/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/p-Si Metal–Oxide–Semiconductor Capacitor