Работы, цитирующие эту работу

Работ: 3

Работа: Energy Band Models of n-Znx Cd1-xS−p-CdTe and n-ZnxCd1−xS−p-Si (0 ≦ × ≦ 1) Heterojunctions

1. Physical properties of II–VI binary and multi-component compound films and heterostructures fabricated by chemical vapour deposition

   T.M. Razykov

   СтатьяChalcogenide Semiconductor Thin FilmsThin Solid Films1988Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/1988.article.000006

2. Fabrication and crystallophysical properties of (ZnSe)x(CdTe)1−x (x = 0−1) multicomponent system films

   T.M. Razykov

   СтатьяChalcogenide Semiconductor Thin FilmsThin Solid Films1988Цитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.486323

3. Effect of Substrate Temperature on the Physical Properties of ZnхSn1 – хSe Films for Thin-Film Solar Cells

   T.M. Razykov, К. M. Kuchkarov, B. A. Ergashev +4

   СтатьяChalcogenide Semiconductor Thin FilmsApplied Solar Energy2019Цитирований: 0

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2019.article.000981