← Назад к работе
Работы, цитирующие эту работу
Работ: 2
Работа: Formation of vacancy-impurity complexes by annealing elementary vacancies introduced by electron irradiation of As-, P-, and Sb-doped Si
Продукты
Для разработчиков
AkademBaseОткрытый API экосистемыРабот: 2
Работа: Formation of vacancy-impurity complexes by annealing elementary vacancies introduced by electron irradiation of As-, P-, and Sb-doped Si