Threshold for Potential Sputtering of LiF
G. HaydererInstitut für Allgemeine Physik, TU Wien, Wiedner Hauptstrasse 8-10, A-1040 Vienna, AustriaMichael SchmidInstitut für Allgemeine Physik, TU Wien, Wiedner Hauptstrasse 8-10, A-1040 Vienna, AustriaП. ВаргаInstitut für Allgemeine Physik, TU Wien, Wiedner Hauptstrasse 8-10, A-1040 Vienna, AustriaH. WinterInstitut für Allgemeine Physik, TU Wien, Wiedner Hauptstrasse 8-10, A-1040 Vienna, AustriaF. AumayrInstitut für Allgemeine Physik, TU Wien, Wiedner Hauptstrasse 8-10, A-1040 Vienna, AustriaLudger WirtzInstitut für Allgemeine Physik, TU Wien, Wiedner Hauptstrasse 8-10, A-1040 Vienna, AustriaC. LemellInstitut für Allgemeine Physik, TU Wien, Wiedner Hauptstrasse 8-10, A-1040 Vienna, AustriaJoachim BurgdörferInstitut für Allgemeine Physik, TU Wien, Wiedner Hauptstrasse 8-10, A-1040 Vienna, AustriaL. HäggMid Sweden University > Department of Physics and MathematicsC. O. ReinholdInstitut für Allgemeine Physik, TU Wien, Wiedner Hauptstrasse 8-10, A-1040 Vienna, Austria
1999en
ABI
Аннотация
We have measured total sputtering yields for impact of slow ( $\ensuremath{\le}100\mathrm{eV}$) singly and doubly charged ions on LiF. The minimum potential energy necessary to induce potential sputtering (PS) from LiF was determined to be about 10 eV. This threshold coincides with the energy necessary to produce a cold hole in the valence band of LiF by resonant neutralization. This allows the first unambiguous identification of PS induced by cold holes. Further stepwise increase of the sputtering yield with higher projectile potential energies provides evidence for additional defect-mediated sputtering mechanisms operative in alkali halides.
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