Статья

Boron and aluminum diffusion into 4H–SiC substrates

Andrzej KubiakTechnical University of Lodz, Department of Semiconductor and Optoelectronic Devices, Wolczanska 211/215, 90-924 Lodz, PolandJacek RogowskiTechnical University of Lodz, Zeromskiego 116, 90-924 Lodz, Poland

2010en

ABI

Аннотация

Аннотация отсутствует.

Идентификаторы

DOI: 10.1016/j.mseb.2010.06.022

Цитирования и источники

Цитирований: 2Использованных источников: 0

Показатели — AkademScholar