Preparation of GaSb substrates for GaSb and GaInAsSb growth by organometallic vapor phase epitaxy
C.A WangLincoln Laboratory, Massachusetts Institute of Technology, Lexington, MA 02420-9108, USAD.A. ShiauLincoln Laboratory, Massachusetts Institute of Technology, Lexington, MA 02420-9108, USAAnn LinLincoln Laboratory, Massachusetts Institute of Technology, Lexington, MA 02420-9108, USA
2003en
ABI
Аннотация
Аннотация отсутствует.
Идентификаторы
Цитирования и источники
Цитирований: 2Использованных источников: 0