Ultraviolet photoluminescence of porous silica
N. ChiodiniDipartimento di Scienza dei Materiali, Istituto Nazionale Fisica della Materia, University of Milano-Bicocca, via Cozzi 53, 20125 Milano, ItalyF. MeinardiDipartimento di Scienza dei Materiali, Istituto Nazionale Fisica della Materia, University of Milano-Bicocca, via Cozzi 53, 20125 Milano, ItalyFranca MorazzoniDipartimento di Scienza dei Materiali, Istituto Nazionale Fisica della Materia, University of Milano-Bicocca, via Cozzi 53, 20125 Milano, ItalyА. ПалеариDipartimento di Scienza dei Materiali, Istituto Nazionale Fisica della Materia, University of Milano-Bicocca, via Cozzi 53, 20125 Milano, ItalyRoberto ScottiDipartimento di Scienza dei Materiali, Istituto Nazionale Fisica della Materia, University of Milano-Bicocca, via Cozzi 53, 20125 Milano, ItalyDaniela Di MartinoDipartimento di Fisica “Alessandro Volta,” Istituto Nazionale Fisica della Materia, University of Pavia, via Bassi 6, 27100 Pavia, Italy
2000en
ABI
Аннотация
Excitation pattern and decay kinetics of ultraviolet photoluminescence of porous silica are investigated between 4.5 and 10 eV by means of synchrotron radiation. Spectra are dominated by a 3.7 eV emission similar to the recently observed ultraviolet emission of oxidized porous Si and Si nanostructures. Emission intensity is found to be controlled by the material specific surface. Other emissions are observed at 2.9, 3.8, and 4.2 eV. All emissions show lifetimes of a few nanoseconds. Spectral and kinetic features are sensibly different than in glassy SiO2, suggesting a revision of previous assignments of ultraviolet emissions in oxidized porous Si and Si nanostructures.
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