Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 6

Работа: Influence of the field of the built-in oxide charge on the lateral C- V dependence of the MOSFET

1. Physics of Semiconductor Devices

   J.-P. Colinge, Cindy Colinge

   Книга2002Цитирований: 58

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.199260

2. Physics of semiconductor devices

   Статья1990Цитирований: 6

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.614904

3. Charge storage in a nitride-oxide-silicon medium by scanning capacitance microscopy

   R. C. Barrett, C. F. Quate

   Статья1991Цитирований: 5

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.568586

4. Hi-MNOS II technology for a 64-kbit byte-erasable 5-V-only EEPROM

   Y. Yatsuda, Shinji Nabetani, Ken Uchida +5

   Статья1985Цитирований: 3

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.568587

5. Radiation-induced space-charge buildup in MOS structures

   J.P. Mitchell

   Статья1967Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.535427

6. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.615303