Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseОткрытый API экосистемы
Статья

States in the Gap in Glassy Semiconductors

R. A. StreetMax-Planck-Institut für Festkörperforschung, Stuttgart, Federal Republic of GermanyN. F. MottMax-Planck-Institut für Festkörperforschung, Stuttgart, Federal Republic of Germany
1975en
ABI

Аннотация

A model is discussed which for the first time provides a unified description of many electrical and optical properties of chalcogenide glasses. It is proposed that localized gap states are at dangling bonds, and that lattice-distortion effects are sufficiently strong that these states exhibit an effective negative electron-electron correlation energy.

Перевод пока недоступен

Идентификаторы

Цитирования и источники

Цитирований: 2Использованных источников: 0