Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseОткрытый API экосистемы
← Назад к работе

Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 7

Работа: (IV2)1−x(III-V)x solid solutions obtained from a bounded tin melt-solution

  1. Constitution of Binary Alloys

    Max Hansen, K. Anderko, H. W. Salzberg

    Статья1958Цитирований: 26
    ABI
  2. Heterojunctions and Metal Semiconductor Junctions

    Книга1972Цитирований: 14
    ABI
  3. Structural defects in the epitaxial layers of semiconductors

    M. G. Mil’vidskiĭ, V. B. Osvenskiĭ

    Статья1985Цитирований: 2
    ABI
  4. The Epitaxy of ZnSe on Ge, GaAs, and ZnSe by an HCl Close-Spaced Transport Process

    H.J. Hovel, A. G. Milnes

    Статья1969Цитирований: 2
    ABI
  5. Preparation of Ge/Si and Ge∕GaAs Heterojunctions

    A. R. Riben, D.L. Feucht, W.G. Oldham

    Статья1966Цитирований: 2
    ABI
  6. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI