← Назад к работе
Работы, на которые ссылается эта работа
Работ: 7
Работа: (IV2)1−x(III-V)x solid solutions obtained from a bounded tin melt-solution
Structural defects in the epitaxial layers of semiconductors
M. G. Mil’vidskiĭ, V. B. Osvenskiĭ
Статья1985Цитирований: 2ABIThe Epitaxy of ZnSe on Ge, GaAs, and ZnSe by an HCl Close-Spaced Transport Process
Статья1969Цитирований: 2ABIPreparation of Ge/Si and Ge∕GaAs Heterojunctions
A. R. Riben, D.L. Feucht, W.G. Oldham
Статья1966Цитирований: 2ABI