Secondary ion yield variations due to cesium implantation in silicon
K. WittmaackGesellschaft für Strahlen — und Umweltforschung mbH, Physikalisch — Technische Abteilung, D-8042 Neuherberg, Fed. Rep. of Germany
1983en
ABI
Аннотация
Аннотация отсутствует.
Идентификаторы
Цитирования и источники
Цитирований: 2Использованных источников: 0