Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseОткрытый API экосистемы
Статья

Electrolytic Shaping of Germanium and Silicon

1956en
ABI

Аннотация

Properties of electrolyte-semiconductor barriers are described, with emphasis on germanium. The use of these barriers in localizing electrolytic etching is discussed. Other localization techniques are mentioned. Electrolytes for etching germanium and silicon are given.

Перевод пока недоступен

Идентификаторы

Цитирования и источники

Цитирований: 2Использованных источников: 0