Crystal Defects as Source of Anomalous Forward Voltage Increase of 4H-SiC Diodes
Peder BergmanLinköping UniversityH. LendenmannABB Corporate ResearchPer Åke NilssonChalmers University of TechnologyU. LindefeltABB Corporate ResearchP. SkyttABB Corporate Research
2001en
ABI
Аннотация
Аннотация отсутствует.
Идентификаторы
Цитирования и источники
Цитирований: 2Использованных источников: 0