Growth of crack-free GaN on Si(111) with graded AlGaN buffer layers
A. AbleInstitut für Experimentelle und Angewandte Physik, Universität Regensburg, Universitätsstr. 31, D-93053 Regensburg, GermanyW. WegscheiderInstitut für Experimentelle und Angewandte Physik, Universität Regensburg, Universitätsstr. 31, D-93053 Regensburg, GermanyKarl EnglInstitut für Experimentelle und Angewandte Physik, Universität Regensburg, Universitätsstr. 31, D-93053 Regensburg, GermanyJ. ZweckInstitut für Experimentelle und Angewandte Physik, Universität Regensburg, Universitätsstr. 31, D-93053 Regensburg, Germany
2005en
ABI
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