← Ишга қайтиш
Ушбу иш иқтибос қилган ишлар
14 та иш
Иш: Kinetics and growth mechanism of gallium arsenide crystals in gas-phase epitaxy
Influence of the Growth Parameters in GaAs Vapor Phase Epitaxy
L. Hollan, J.M. Durand, R. Cadoret
Мақола19772 иқтибосABI