Асосий контентга ўтиш
AkademIndex

Маҳсулотлар

Ишлаб чиқувчилар учун

AkademBaseЭкотизим учун очиқ API
← Ишга қайтиш

Ушбу иш иқтибос қилган ишлар

6 та иш

Иш: Computer Simulation of Current–Voltage Characteristics in Amorphous Silicon p–n Diode Structures under Impurity Photoexcitation

  1. Statistics of the Recombinations of Holes and Electrons

    W. Shockley, W. T. Read

    Мақола195219 иқтибос
    ABI
  2. Determination of depletion width in amorphous materials using a simple analytical model

    M. S. Shur, W. Czubatyj, A. Madan

    Мақола19802 иқтибос
    ABI
  3. Energy Conversion Process of p-i-n Amorphous Si Solar Cells

    Yukinori Kuwano, Shinya Tsuda, M. Ohnishi

    Мақола19822 иқтибос
    ABI
  4. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  5. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  6. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI