Асосий контентга ўтиш
AkademIndex

Маҳсулотлар

Ишлаб чиқувчилар учун

AkademBaseЭкотизим учун очиқ API
← Ишга қайтиш

Ушбу иш иқтибос қилган ишлар

15 та иш

Иш: Multi-Scale Simulation of MBE-Grown SiC/Si Nanostructures

  1. Status of silicon carbide (SiC) as a wide-bandgap semiconductor for high-temperature applications: A review

    Jeff B. Casady, Wayne Johnson

    Шарҳ мақола19964 иқтибос
    ABI

  2. Structural and thermodynamic properties of elemental and bimetallic nanoclusters: an atomic scale study

    Е. Е. Журкин, M. Hou

    Мақола20003 иқтибос
    ABI

  3. Atomic scale modelling of nanosize Ni3Al cluster beam deposition on Al, Ni and Ni3Al (1 1 1) surfaces

    V. S. Kharlamov, Evgeni E. Zhurkin, M. Hou

    Мақола20023 иқтибос
    ABI

  4. Erratum: Modeling solid-state chemistry: Interatomic potentials for multicomponent systems

    J. Tersoff

    Бошқа19902 иқтибос
    ABI

  5. Modeling solid-state chemistry: Interatomic potentials for multicomponent systems

    J. Tersoff

    Мақола19892 иқтибос
    ABI

  6. Nucleation of SiC on Si and their relationship to nano-dot formation: II. Theoretical investigation

    K. L. Safonov, D. V. Kulikov, Yuri V. Trushin +1

    Мақола20022 иқтибос
    ABI

  7. Investigation of the nucleation and growth of SiC nanostructures on Si

    F. Scharmann, P. Maslarski, W. Attenberger +4

    Мақола20002 иқтибос
    ABI

  8. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  9. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  10. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  11. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  12. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  13. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  14. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  15. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI