Асосий контентга ўтиш
AkademIndex

Маҳсулотлар

Ишлаб чиқувчилар учун

AkademBaseЭкотизим учун очиқ API
← Ишга қайтиш

Ушбу иш иқтибос қилган ишлар

5 та иш

Иш: Current-voltage characteristics of Si/Si1 − x Ge x heterodiodes fabricated by direct bonding

  1. Structural Quality of Directly Bonded Silicon Wafers with Regularly Grooved Interfaces

    E. D. Kim, S. C. Kim, J. M. Park +4

    Мақола19972 иқтибос
    ABI
  2. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  3. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  4. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  5. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI