The forming of the phototransducers on the basis of Si and AIGaAs and research their photoelectric characteristics
U. B. AbdievAS RU, SPA 'Physics-Sun', Physical Technical Institute, Tashkent (Uzbekistan)
2009en
ABI
Аннотация
Аннотация мавжуд эмас.
Мавзулар
Иқтибослар ва манбалар
0 та иқтибос0 та фойдаланилган манба