Асосий контентга ўтиш
AkademIndex

Маҳсулотлар

Ишлаб чиқувчилар учун

AkademBaseтез орадаЭкотизим учун очиқ API
Лотин
← Ишга қайтиш

Ушбу иш иқтибос қилган ишлар

54 та иш

Иш: Tunable defect engineering in TiON thin films by multi-step sputtering processes: from a Schottky diode to resistive switching memory

  1. Nanoionics-based resistive switching memories

    Rainer Waser, Masakazu Aono

    Мақола20075 иқтибос
    ABI
  2. Band alignment of rutile and anatase TiO2

    David O. Scanlon, Charles W. Dunnill, John Buckeridge +12

    Мақола20135 иқтибос
    ABI
  3. Resistive switching memory effect of ZrO2 films with Zr+ implanted

    Qi Liu, Weihua Guan, Shibing Long +3

    Мақола20082 иқтибос
    ABI
  4. High Uniformity of Resistive Switching Characteristics in a Cr/ZnO/Pt Device

    Wen-Yuan Chang, Hsin-Wei Huang, Wei‐Ting Wang +3

    Мақола20122 иқтибос
    ABI
  5. The effect of oxygen vacancy on switching mechanism of ZnO resistive switching memory

    Cong Hu, Qi Wang, Shuai Bai +4

    Мақола20172 иқтибос
    ABI
  6. Electrical Defects in Silicon Introduced by Sputtering and Sputter‐Etching

    Erik Grusell, S. Berg, L.P. Andersson

    Мақола19802 иқтибос
    ABI
  7. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  8. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  9. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  10. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  11. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  12. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  13. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  14. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  15. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  16. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  17. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  18. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  19. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  20. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  21. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI