Асосий контентга ўтиш
AkademIndex

Маҳсулотлар

Ишлаб чиқувчилар учун

AkademBaseЭкотизим учун очиқ API
← Ишга қайтиш

Ушбу иш иқтибос қилган ишлар

21 та иш

Иш: Characterization of the three-dimensional residual stress distribution in SiC bulk crystals by neutron diffraction

  1. Silicon Carbide as a Platform for Power Electronics

    C. R. Eddy, D. Kurt Gaskill

    Мақола20092 иқтибос
    ABI

  2. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  3. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  4. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  5. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  6. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  7. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  8. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  9. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  10. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  11. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  12. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  13. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  14. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  15. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  16. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  17. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  18. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  19. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  20. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  21. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI