Асосий контентга ўтиш
AkademIndex

Маҳсулотлар

Ишлаб чиқувчилар учун

AkademBaseЭкотизим учун очиқ API
← Ишга қайтиш

Ушбу иш иқтибос қилган ишлар

20 та иш

Иш: SiC plasma characterization produced by 3 ns pulse laser at 10 <sup>10</sup> W/cm <sup>2</sup> intensity

  1. Status of silicon carbide (SiC) as a wide-bandgap semiconductor for high-temperature applications: A review

    Jeff B. Casady, Wayne Johnson

    Шарҳ мақола19964 иқтибос
    ABI

  2. Tantalum ions produced by 1064 nm pulsed laser irradiation

    L. Torrisi, S. Gammino, L. Andò +1

    Мақола20023 иқтибос
    ABI

  3. Corpuscular diagnostics and processing methods applied in investigations of laser-produced plasma as a source of highly ionized ions

    E. Woryna, P. Parys, J. Wołowski +1

    Мақола19963 иқтибос
    ABI

  4. D-D nuclear fusion processes induced in polyethylene foams by TW Laser-generated plasma

    L. Torrisi, M. Cutroneo, S. Cavallaro +1

    Мақола20152 иқтибос
    ABI

  5. Radiation Resistance of Silicon Carbide Schottky Diode Detectors in D-T Fusion Neutron Detection

    Linyue Liu, Ao Liu, Song Bai +3

    Мақола20172 иқтибос
    ABI

  6. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  7. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  8. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  9. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  10. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  11. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  12. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  13. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  14. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  15. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  16. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  17. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  18. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  19. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  20. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI