Асосий контентга ўтиш
AkademIndex

Маҳсулотлар

Ишлаб чиқувчилар учун

AkademBaseЭкотизим учун очиқ API
← Ишга қайтиш

Ушбу иш иқтибос қилган ишлар

52 та иш

Иш: Tuning barrier height and enhancing electrical properties of MOS heterojunctions using Fe2O3 doped MoO3 nanocomposite interlayer on Ni/Cr/n-GaN for optoelectronic devices

  1. A modified forward <i>I</i>-<i>V</i> plot for Schottky diodes with high series resistance

    H. Norde

    Мақола19794 иқтибос
    ABI
  2. Сарлавҳасиз

    Бошқа3 иқтибос
    ABI
  3. MESFETs Made From Individual GaN Nanowires

    Paul T. Blanchard, Kris A. Bertness, Todd E. Harvey +3

    Мақола20082 иқтибос
    ABI
  4. Extraction of Schottky diode parameters from forward current-voltage characteristics

    S. K. Cheung, N.W. Cheung

    Мақола19862 иқтибос
    ABI
  5. A Fast Overcurrent Protection IC for SiC MOSFET Based on Current Detection

    Qiang Li, Yuan Yang, Yang Wen +3

    Мақола20242 иқтибос
    ABI
  6. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  7. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  8. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  9. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  10. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  11. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  12. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  13. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  14. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  15. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  16. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  17. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  18. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  19. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  20. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  21. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  22. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI