Oxide layer growth on silicon substrates: effects of temperature and surface preparation

В работе исследуется процесс роста оксидных слоев на кремниевых подложках в контролируемых температурных условиях. Кремниевые пластины окисляли в печи в течение двух часов при температуре от 300°С до 1100°С. Минимальные изменения поверхности наблюдали при температуре ниже 800°C, тогда как при температуре выше 800°C заметные изменения цвета указывали на значительные эффекты окисления. Перед оксидированием кремниевые подложки подвергали тщательной очистке ацетоном, аммиачной перекисью водорода и плавиковой кислотой (HF) с последующей промывкой деионизированной водой. Толщину оксидных слоев измеряли с помощью эллипсометрии. Кроме того, для анализа оксидных слоев использовали инфракрасную спектроскопию с преобразованием Фурье (FTIR). Для каждой температуры получены FTIR-спектры, показывающие данные по поглощению и волновому числу. В частности, мы сосредоточили внимание на оптической плотности в диапазоне от 1000 до 1300 см−1 и изучили ее зависимость от температуры. Наши результаты проливают свет на взаимосвязь между поглощением и температурой, предоставляя ценную информацию о динамике роста оксидного слоя на кремниевых подложках.

Ҳали таржима қилинмаган