← Ишга қайтиш
Ушбу иш иқтибос қилган ишлар
44 та иш
Иш: Room temperature dilute magnetic semiconductor response in (Gd, Co) co-doped ZnO for efficient spintronics applications
Electrical spin injection in a ferromagnetic semiconductor heterostructure
Y. Ohno, D. K. Young, Bernd Beschoten +3
Мақола19993 иқтибосABI<i>Ab initio</i>study of electronic and magnetic properties of the C-codoped<mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" display="inline"><mml:mrow><mml:msub><mml:mi mathvariant="normal">Ga</mml:mi><mml:mrow><mml:mn>1</mml:mn><mml:mo>−</mml:mo><mml:mi>x</mml:mi></mml:mrow></mml:msub><mml:msub><mml:mi mathvariant="normal">Mn</mml:mi><mml:mi>x</mml:mi></mml:msub><mml:mi mathvariant="normal">N</mml:mi></mml:mrow></mml:math><mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" display="inline"><mml:mrow><mml:mo>(</mml:mo><mml:mn>10</mml:mn><mml:mover accent="true"><mml:mn>1</mml:mn><mml:mo stretchy="false">¯</mml:mo></mml:mover><mml:mn>0</mml:mn><mml:mo>)</mml:mo></mml:mrow></mml:math>surface
Qian Wang, Qiang Sun, Puru Jena
Мақола20073 иқтибосABIDependence of energy gap on<i>x</i>and<i>T</i>in<mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" display="inline"><mml:mrow><mml:msub><mml:mrow><mml:mi mathvariant="normal">Zn</mml:mi></mml:mrow><mml:mrow><mml:mn>1</mml:mn><mml:mi mathvariant="normal">−</mml:mi><mml:mi mathvariant="normal">x</mml:mi></mml:mrow></mml:msub></mml:mrow></mml:math><mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" display="inline"><mml:mrow><mml:msub><mml:mrow><mml:mi mathvariant="normal">Mn</mml:mi></mml:mrow><mml:mrow><mml:mi mathvariant="normal">x</mml:mi></mml:mrow></mml:msub></mml:mrow></mml:math>Se: The role of exchange interaction
R. B. Bylsma, W. M. Becker, J. Kossut +2
Мақола19863 иқтибосABI