Асосий контентга ўтиш
AkademIndex

Маҳсулотлар

Ишлаб чиқувчилар учун

AkademBaseЭкотизим учун очиқ API
← Ишга қайтиш

Ушбу иш иқтибос қилган ишлар

13 та иш

Иш: Three-Band Simulation of the <a:math xmlns:a="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" id="M1"> <a:mi>g</a:mi> </a:math>-Factor of an Electron in an InAs Quantum Well in Strong Magnetic Fields

  1. Electronic properties of two-dimensional systems

    Tsuneya Ando, A. B. Fowler, Frank Stern

    Мақола198225 иқтибос
    ABI

  2. Band parameters for III–V compound semiconductors and their alloys

    I. Vurgaftman, J. R. Meyer, L. R. Ram‐Mohan

    Мақола200121 иқтибос
    ABI

  3. Electron effective masses in an InGaAs quantum well with InAs and GaAs inserts

    V. A. Kulbachinskiı̆, N. A. Yuzeeva, Г. Б. Галиев +4

    Мақола20124 иқтибос
    ABI

  4. Spin—Orbit Coupling Effects in Two-Dimensional Electron and Hole Systems

    R. Winkler

    Китоб20033 иқтибос
    ABI

  5. Experimental measurements of effective mass in near-surface InAs quantum wells

    Joseph Yuan, Mehdi Hatefipour, Brenden A. Magill +11

    Мақола20203 иқтибос
    ABI

  6. Electrons and Holes in Semiconductors

    Боб20182 иқтибос
    ABI

  7. Resonant interband tunnel diodes with AlGaSb barriers

    R. Magno, Allan S. Bracker, B. R. Bennett

    Мақола20012 иқтибос
    ABI

  8. Modulation doping of InAs/AlSb quantum wells using remote InAs donor layers

    B. R. Bennett, M. J. Yang, B. V. Shanabrook +2

    Мақола19982 иқтибос
    ABI

  9. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  10. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  11. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  12. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  13. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI