Асосий контентга ўтиш
AkademIndex

Маҳсулотлар

Ишлаб чиқувчилар учун

AkademBaseЭкотизим учун очиқ API
← Ишга қайтиш

Ушбу иш иқтибос қилган ишлар

12 та иш

Иш: Low-energy P+ ion channeling and implantation into Si(110), SiC(110), GaP(110) and GaAs(110)

  1. Atomic collisions on solid surfaces

    Peter Sigmund

    Мақола199435 иқтибос
    ABI
  2. Atomic collisions on solid surfaces

    E.S. Parilis

    Китоб199322 иқтибос
    ABI
  3. THE STOPPING AND RANGE OF IONS IN SOLIDS

    J. F. Ziegler

    Боб198815 иқтибос
    ABI
  4. THE STOPPING AND RANGE OF IONS IN SOLIDS

    J. F. Ziegler

    Боб198411 иқтибос
    ABI
  5. Computer Simulation of Ion-Solid Interactions

    W. Eckstein

    Китоб19918 иқтибос
    ABI
  6. Channeling: theory, observation and applications

    D. V. Morgan

    Китоб19732 иқтибос
    ABI
  7. Ion Implantation: Equipment and Techniques

    H. Ryssel, H. Glawischnig

    Китоб19832 иқтибос
    ABI
  8. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI