Tin antimony sulfide (Sn6Sb10S21) thin films by heating chemically deposited Sb2S3/SnS layers: Studies on the structure and their optoelectronic properties
Sebin DevasiaFacultad de Ingeniería Mecánica y Eléctrica, Universidad Autónoma de Nuevo León, San Nicolás de los Garza, Nuevo León, 66455, MexicoSadasivan ShajiCentro de Innovación, Investigación y Desarrollo en Ingeniería y Tecnología (CIIDIT)- Universidad Autónoma de Nuevo León, Parque de Investigación e Innovación Tecnológica (PIIT), Apodaca, Nuevo León, 66600, MexicoDavid Avellaneda AvellanedaFacultad de Ingeniería Mecánica y Eléctrica, Universidad Autónoma de Nuevo León, San Nicolás de los Garza, Nuevo León, 66455, MexicoJ.A. Aguilar-MartínezCentro de Investigación e Innovación en Ingeniería Aeronáutica (CIIIA), Facultad de Ingeniería Mecánica y Eléctrica, Carretera a Salinas Victoria, Apodaca, Nuevo León, 66600, MexicoBindu KrishnanCentro de Innovación, Investigación y Desarrollo en Ingeniería y Tecnología (CIIDIT)- Universidad Autónoma de Nuevo León, Parque de Investigación e Innovación Tecnológica (PIIT), Apodaca, Nuevo León, 66600, Mexico
2020en
ABI
Аннотация
Аннотация мавжуд эмас.
Идентификаторлар
Иқтибослар ва манбалар
2 та иқтибос0 та фойдаланилган манба