Асосий контентга ўтиш
AkademIndex

Маҳсулотлар

Ишлаб чиқувчилар учун

AkademBaseЭкотизим учун очиқ API
← Ишга қайтиш

Ушбу иш иқтибос қилган ишлар

27 та иш

Иш: Positron probing of open vacancy volume of phosphorus‐vacancy complexes in float‐zone n‐type silicon irradiated by 0.9‐MeV electrons and by 15‐MeV protons

  1. Positron Annihilation in Semiconductors

    R. Krause‐Rehberg, Hartmut S. Leipner

    Китоб19996 иқтибос
    ABI
  2. Atomic Environment of Positrons Annihilating in HT Cz-Si Crystal

    N.Yu. Arutyunov, V. V. Emtsev

    Мақола20053 иқтибос
    ABI
  3. Production of Divacancies and Vacancies by Electron Irradiation of Silicon

    J. W. Corbett, G. D. Watkins

    Мақола19653 иқтибос
    ABI
  4. Stability of large vacancy clusters in silicon

    Torsten E.M. Staab, A. Sieck, M. Haugk +3

    Мақола20022 иқтибос
    ABI
  5. Vacancies and vacancy-oxygen complexes in silicon: Positron annihilation with core electrons

    J. Kuriplach, A.L. Morales, C. Dauwe +2

    Мақола19982 иқтибос
    ABI
  6. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  7. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  8. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  9. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  10. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  11. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  12. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  13. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI