Асосий контентга ўтиш
AkademIndex

Маҳсулотлар

Ишлаб чиқувчилар учун

AkademBaseЭкотизим учун очиқ API
Мақола

Boron and aluminum diffusion into 4H–SiC substrates

Andrzej KubiakTechnical University of Lodz, Department of Semiconductor and Optoelectronic Devices, Wolczanska 211/215, 90-924 Lodz, PolandJacek RogowskiTechnical University of Lodz, Zeromskiego 116, 90-924 Lodz, Poland
2010en
ABI

Аннотация

Аннотация мавжуд эмас.

Идентификаторлар

Иқтибослар ва манбалар

2 та иқтибос0 та фойдаланилган манба