エポキシ樹脂半導体パッケージ中のボイドにおける部分放電の推定とその影響
Hiroshi HiguchiDepartment of Electron i cs EngineeriIlg ，Kenji YamauchiDepartment of Electron i cs EngineeriIlg， Faculty of E㎎ineering，Himeji Institute of Tech-no l ogy (2167 Shosha， H i me⊃i， 671-22 JapanMuneo MaedaDepartment of Electron i cs EngineeriIlg， Faculty of E㎎ineering，Himeji Institute of Tech-no l ogy (2167 Shosha， H i me⊃i， 671-22 Japan
1993ja
Ochiq kirishOlmos
ABI
Annotatsiya
October8，1992；Accepted January5，1993 ■．緒書 静電気障害(E㏄／ESD：Electrostatic Charge／Electro static Discharge)および電気的オーバ・ストレス(EOS ：Electrical Over Stress)により不良とな一〕た半導体 デバイス、特にエポキシなどの高分子系の樹脂で封止さ れたデバイスを解析してみると、樹脂中にボイド(Void： 気孔)の存在が見られることがある。このようなボイド の存在は絶縁体の絶縁特性を劣化させる原因となり、ま た部分放電(Partial d重scharge)が発生しやすくなるた め、パッケージやチップに損傷を与えることが知られて 、、る、-萄。
Hali tarjima qilinmagan
Identifikatorlar
Iqtiboslar va manbalar
0 ta iqtibos0 ta foydalanilgan manba