Influence of oriented deformation on deep level radiation defects in silicon
N.A. SultanovM. TajibaevFerganskij Politekhnicheskij Inst., Fergana (Uzbekistan)
1999en
Ochiq kirish: yoʻq
ABI
Annotatsiya
Annotatsiya mavjud emas.
Mavzular
Iqtiboslar va manbalar
0 ta iqtibos0 ta foydalanilgan manba