Asosiy kontentga oʻtish
Maqola

Density of states at a gamma-irradiated Si/SiO2 interface: The effect of ultrasonic treatment

П. Б. ПарчинскийNational University of Uzbekistan, Tashkent, Uzbekistan
Russian Microelectronicsjournal2005en

Ochiq kirish: yoʻq

ABI

Annotatsiya

Annotatsiya mavjud emas.

Mavzular

Identifikatorlar

Iqtiboslar va manbalar