Теплове розширення щільності станів і температурна залежність ширини забороненої зони Gе
Г. ГулямовНаманганский инженерно-педагогический институт УзбекистанN. Yu. SharibaevНаманганский инженерно-педагогический институт УзбекистанУ. И. ЭркабоевНаманганский инженерно-педагогический институт Узбекистан
2012uk
Ochiq kirish: yoʻq
ABI
Annotatsiya
Modeling of a thermal broadening of the density of states of the semiconductor temperature dependence of the band gap of Ge. The numerical analysis showed that the nonlinear dependence of the band gap Ge at low temperatures due to the presence of energy levels in the forbidden zone near the allowed bands. Results are in good agreement with the experimental data.
Hali tarjima qilinmagan
Iqtiboslar va manbalar
0 ta iqtibos0 ta foydalanilgan manba