Создание и электрические свойства гетеропереходов p-Cu-=SUB=-2-=/SUB=-ZnSnS-=SUB=-4-=/SUB=-/n-Si
A. A. IusupovК. АдамбаевZafar TuraevНациональный университет Узбекистана (НУУз), Ташкент, УзбекистанSukhrob AlievАндижанский государственный университет, УзбекистанА. КутлимратовФизико-технический институт АН Узбекистана, Ташкент, Узбекистан
2017ru
Ochiq kirishOlmos
ABI
Annotatsiya
Впервые получены анизотипные гетеропереходы p-Cu2ZnSnS4/n-Si методом сульфиризации базовых металлических слоев, предварительно напыленных на подложку из поликристаллического кремния. Анализируются вольт-амперные характеристики и обсуждаются механизмы токопрохождения в созданных структурах. Показано, что для прямого смешения характерны туннельно-рекомбинационные процессы и токи, ограниченные пространственным зарядом. При обратных смещениях в гетеропереходе преобладают токи, ограниченные пространственным зарядом. DOI: 10.21883/PJTF.2017.02.44193.16474
Hali tarjima qilinmagan
Identifikatorlar
Iqtiboslar va manbalar
0 ta iqtibos0 ta foydalanilgan manba