Maqola

ИССЛЕДОВАНИЯ ДЕФЕКТНОЙ ПОВЕРХНОСТИ InP(001) МЕТОДОМ МАЛОУГЛОВОГО РАССЕЯНИЯ ИОНОВ

Н. Ю. ТураевМ. K. KаrimovУргенчский государственный университетМ. К. КурбановУргенчский государственный университетMexroj OtaboevУргенчский государственный университетU. О. KutlievУргенчский государственный университет

2019ru

Ochiq kirish: yoʻq

ABI

Annotatsiya

Представлены энергетические распределения рассеянных ионов Ar+ в низкоиндексном направлении монокристалла InP(001) при малоугловом падении на эту поверхность. В энергетическом распределении наблюдаются пики, относящиеся к полуканалам, атомным цепочкам и дефектам. Наши результаты интересны при изучении поверхностных структур полупроводников.

Hali tarjima qilinmagan

Identifikatorlar

DOI: 10.52304/.v21i5.133

Iqtiboslar va manbalar

0 ta iqtibos0 ta foydalanilgan manba