Ультразвуковое воздействие на генерационно-рекомбинационные свойства межфазной границы МДП структур

Исследовано влияние ультразвукового воздействия на плотность электронных состояний, локализованных на межфазной границе раздела Si-стекло. Предложена методика определения величин скоростей поверхностной и объемной генерации носителей заряда, используя расчётную временную зависимость ширины области пространственного заряда (ОПЗ) при сравнении её с экспериментальной зависимостью. Ультразвуковая обработка структур Al-n-Si-стекло-Al частотой 2.5 мГц, мощностью 0.5 Вт в течение 40 минут приводит к уменьшению скорости формирования заряда инверсионного слоя. Это обусловлено уменьшением интегральной плотности электронных состояний, локализованных на межфазной границе полупроводник-стекло и не влияет на энергетический спектр объемных электронных состояний в полупроводнике.

Hali tarjima qilinmagan