Анизотропия отрицательного магнетосопротивления в эапитаксиальных слоях GaMnAs
А.С. ГазизулинаНациональный университет Узбекистана (НУУз), Ташкент, УзбекистанА.А. НасировНациональный университет Узбекистана (НУУз), Ташкент, УзбекистанА.А. НебесныйНациональный университет Узбекистана (НУУз), Ташкент, УзбекистанП.Б. ПарчинскийНациональный университет Узбекистана (НУУз), Ташкент, УзбекистанDojin KimChungnam National University, Taejon, Korea
Ochiq kirishOlmos
ABI
Annotatsiya
Anisotropy of magnetotransport properties of GaMnAs epitaxial layers in ferromagnetic state has been investigated as a function of temperature. The anisotropy of negative magnetoresistance that is not related to uniaxial anisotropy and hard axis orientation has been observed. This anisotropy may be result of arising of spatially oriented structures in the GaMnAs layer during its growth.
Hali tarjima qilinmagan
Mavzular
Identifikatorlar
Iqtiboslar va manbalar
0 ta iqtibos0 ta foydalanilgan manba