Asosiy kontentga oʻtish
Maqola

Комбинационное рассеяние света и фотолюминесценция в микроструктурах оксида цинка, помещенных в фотонные ловушки

И. А. РахматуллаевЦентр передовых технологий при Министерстве инновационного развития Республики УзбекистанН. В. ЧернегаФизический институт имени П.Н.Лебедева РАНM. Kh. DavronovЦентр передовых технологий при Министерстве инновационного развития Республики УзбекистанО М ТурсункуловЦентр передовых технологий при Министерстве инновационного развития Республики Узбекистан
2022ru

Ochiq kirish: yoʻq

ABI

Annotatsiya

Методами сканирующей электронной микроскопии, фотолюминесцентной и рамановской спектроскопии исследованы морфология поверхности и оптические свойствамикроструктур (с поперечными размерами 2−8 мкм) оксида цинка. Спектрыкомбинационного рассеяния исследованных образцов характеризуются аномальнобольшой интенсивностью, что связано с пленением возбуждающего излучения в минирезонаторах-кюветах (фотонных ловушках). Высокая эффективность преобразованиявозбуждающего излучения в сигнал комбинационного рассеяния объясняется большимзначением полного пути, который фотон возбуждающего излучения проходит вдисперсной среде, находящейся в фотонной ловушке. Обнаружено, что при комнатнойтемпературе наблюдается довольно интенсивная фотолюминесценция в микроструктурах оксида цинка в области λмак=385−390 нм при возбуждении второй оптическойгармоникой (λвозб=255.3 нм) лазера на парах меди. Полученные результаты могут бытьиспользованы для создания новых лазерных материалов на базе микро- и наноструктуроксида цинка. Разработанный оригинальный метод на основе фотонных ловушекоткрывает большие перспективы для регистрации слабых сигналов вторичногоизлучения широкого класса неорганических и органических ультрадисперсных сред.

Hali tarjima qilinmagan

Identifikatorlar

Iqtiboslar va manbalar

0 ta iqtibos0 ta foydalanilgan manba