Дефекты, характерные для гидрогенизированных аморф-ных полупроводников, и спектры дефектного поглощения

В настоящей работе теоретически исследованы спектры поглощения дефектов, характерных для гидрогенизированного аморфного кремния. Установлено, что основную роль в определении спектра дефектного поглощения играют парциальные спектры, определяемые оптическими переходами электронов между разрешенными зонами и дефектами. Показано, что при степенном распределении плотности электронных состоя-ний в разрешенных зонах, спектры оптических переходов между ними и дефектами не зависят от значения этой степени.

Hali tarjima qilinmagan