Maqola

STUDYING THE PROPERTIES OF NANOSCALE STRUCTURES CREATED ON THE SURFACE OF THE SI/CU P SYSTEM FILMS SI/CU

Adham TursunovShahrisabz branch of the Tashkent Institute of Chemistry and TechnologyA AxmedovShahrisabz branch of the Tashkent Institute of Chemistry and Technology

2023en

Ochiq kirishGibrid

Litsenziya: cc-by-nc-nd

ABI

Annotatsiya

Past energiyali (E0 = 1-5 keV) О2+, Ва+, Cu+ va Со+ ionlarini implantatsiya qilish usuli bilan hamda so‘ngra qizdirilib, erkin nanoplyonka tizimi Si/Cu(100) yuzasida SiO2 va metall silitsidlari nanofazalari va plyonkalari olingan. Ularning sirt morfologiyasi, tarkibi, energiya zonalari parametrlari, ikkilamchi elektron emissiyasi koeffitsientining maksimal qiymati va fotoelektronlarning kvant chiqishi aniqlandi. Xususan, metall silisidlarning taqiqlangan zona oralig‘i 0,3-0,4 eV, qarshilik esa - 100-500 mkOm×sm ekanligi ko‘rsatilgan.

Hali tarjima qilinmagan

Identifikatorlar

DOI: 10.56292/sjfsu/vol29_iss2/a129

Iqtiboslar va manbalar

0 ta iqtibos2 ta foydalanilgan manba