Asosiy kontentga oʻtish
AkademIndex

Xizmatlar

← Ishga qaytish

Ushbu ish iqtibos qilgan ishlar

20 ta ish

Ish: SiC plasma characterization produced by 3 ns pulse laser at 10 <sup>10</sup> W/cm <sup>2</sup> intensity

  1. Status of silicon carbide (SiC) as a wide-bandgap semiconductor for high-temperature applications: A review

    Jeff B. Casady, Wayne Johnson

    Sharh maqola19964 iqtibos
    ABI

  2. Tantalum ions produced by 1064 nm pulsed laser irradiation

    L. Torrisi, S. Gammino, L. Andò +1

    Maqola20023 iqtibos
    ABI

  3. Corpuscular diagnostics and processing methods applied in investigations of laser-produced plasma as a source of highly ionized ions

    E. Woryna, P. Parys, J. Wołowski +1

    Maqola19963 iqtibos
    ABI

  4. D-D nuclear fusion processes induced in polyethylene foams by TW Laser-generated plasma

    L. Torrisi, M. Cutroneo, S. Cavallaro +1

    Maqola20152 iqtibos
    ABI

  5. Radiation Resistance of Silicon Carbide Schottky Diode Detectors in D-T Fusion Neutron Detection

    Linyue Liu, Ao Liu, Song Bai +3

    Maqola20172 iqtibos
    ABI

  6. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI

  7. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI

  8. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI

  9. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI

  10. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI

  11. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI

  12. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI

  13. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI

  14. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI

  15. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI

  16. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI

  17. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI

  18. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI

  19. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI

  20. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI