Asosiy kontentga oʻtish
← Ishga qaytish

Ushbu ish iqtibos qilgan ishlar

52 ta ish

Ish: Tuning barrier height and enhancing electrical properties of MOS heterojunctions using Fe2O3 doped MoO3 nanocomposite interlayer on Ni/Cr/n-GaN for optoelectronic devices

  1. Sarlavhasiz

    Boshqa3 iqtibos
    ABI
  2. MESFETs Made From Individual GaN Nanowires

    Paul T. Blanchard, Kris A. Bertness, Todd E. Harvey +3

    Maqola20082 iqtibos
    ABI
  3. Sarlavhasiz

    Boshqa2 iqtibos
    ABI
  4. Sarlavhasiz

    Boshqa2 iqtibos
    ABI
  5. Sarlavhasiz

    Boshqa2 iqtibos
    ABI
  6. Sarlavhasiz

    Boshqa2 iqtibos
    ABI
  7. Sarlavhasiz

    Boshqa2 iqtibos
    ABI
  8. Sarlavhasiz

    Boshqa2 iqtibos
    ABI
  9. Sarlavhasiz

    Boshqa2 iqtibos
    ABI
  10. Sarlavhasiz

    Boshqa2 iqtibos
    ABI
  11. Sarlavhasiz

    Boshqa2 iqtibos
    ABI
  12. Sarlavhasiz

    Boshqa2 iqtibos
    ABI
  13. Sarlavhasiz

    Boshqa2 iqtibos
    ABI
  14. Sarlavhasiz

    Boshqa2 iqtibos
    ABI
  15. Sarlavhasiz

    Boshqa2 iqtibos
    ABI
  16. Sarlavhasiz

    Boshqa2 iqtibos
    ABI
  17. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI
  18. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI
  19. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI