Asosiy kontentga oʻtish
AkademIndex

Xizmatlar

← Ishga qaytish

Ushbu ish iqtibos qilgan ishlar

20 ta ish

Ish: Three-dimensional modeling of the relationship between static tunneling and the optical absorption coefficient in tunnel diodes

  1. Influence of Microwave and Magnetic Fields on the Electrophysical Parameters of a Tunnel Diode

    Paul R. Berger, G. Gulyamov, М. Г. Дадамирзаев +2

    MaqolaOchiq kirishAdvancements in Semiconductor Devices and Circuit DesignRomanian Journal of Physics20245 iqtibos
    ABI

  2. Theory of Tunneling

    E. O. Kane

    Maqola19614 iqtibos
    ABI

  3. Tunnel junction <i>I</i>(<i>V</i>) characteristics: Review and a new model for p-n homojunctions

    Nelly Moulin, Mohamed Amara, Fabien Mandorlo +1

    Sharh maqola20193 iqtibos
    ABI

  4. Si/SiGe heterostructures: from material and physics to devices and circuits

    Douglas J. Paul

    Maqola20042 iqtibos
    ABI

  5. Franz-Keldysh effect in semiconductor built-in fields: Doping concentration and space charge region characterization

    Yury Turkulets, Ilan Shalish

    Maqola20182 iqtibos
    ABI

  6. New Phenomenon in Narrow Germanium<mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" display="inline"><mml:mi>p</mml:mi><mml:mo>−</mml:mo><mml:mi>n</mml:mi></mml:math>Junctions

    L. Esaki

    Maqola19582 iqtibos
    ABI

  7. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI

  8. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI

  9. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI

  10. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI

  11. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI

  12. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI

  13. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI

  14. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI

  15. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI

  16. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI

  17. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI

  18. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI

  19. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI

  20. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI